干貨|MOS管的七大構造
來源：立深鑫電子????????發布時間：07-28????????點擊：
摘要 : 上面圖中，下邊的 p 型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊 P 型極連在一起，因此 mos 管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用 mos 管必須清楚這個參數是否符合需求。
解釋 1：溝道
上面圖中，下邊的 p 型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊 P 型極連在一起，因此 mos 管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用 mos 管必須清楚這個參數是否符合需求。
解釋 2：n 型
上圖表示的是 p 型 mos 管，讀者可以依據此圖理解 n 型的，都是反過來即可。因此，不難理解，n 型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而 p 型的相反。
解釋 3：增強型
相對于耗盡型，增強型是通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，如圖。柵極電壓越低，則 p 型源、漏極的正離子就越靠近中間，n 襯底的負離子就越遠離柵極，柵極電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由 p 型游離出來的正離子連在一起，形成通道，就是圖示效果。因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。由于電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因為 n 型負離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產，在市面基本見不到。所以，大家平時說 mos 管，就默認是增強型的。
解釋 4：金屬氧化物膜
圖中有指示，這個膜是絕緣的，用來電氣隔離，使得柵極只能形成電場，不能通過直流電，因此是用電壓控制的。在直流電氣上，柵極和源漏極是斷路。不難理解，這個膜越?。弘妶鲎饔迷胶?、坎壓越小、相同柵極電壓時導通能力越強。壞處是：越容易擊穿、工藝制作難度越大而價格越貴。例如導通電阻在歐姆級的，1 角人民幣左右買一個，而 2402 等在十毫歐級的，要 2 元多（批量買。零售是 4 元左右）。
解釋 5：左右對稱
圖示左右是對稱的，難免會有人問怎么區分源極和漏極呢？其實原理上，源極和漏極確實是對稱的，是不區分的。但在實際應用中，廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管，起保護作用，正是這個二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便于實用。我的老師年輕時用過不帶二極管的 mos 管。非常容易被靜電擊穿，平時要放在鐵質罐子里，它的源極和漏極就是隨便接。
解釋 6：寄生電容
上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質的 mos，膜越薄，寄生電容越大，經常 mos 管的寄生電容達到 nF 級。這個參數是 mos 管選擇時至關重要的參數之一，必須考慮清楚。Mos 管用于控制大電流通斷，經常被要求數十 K 乃至數 M 的開關頻率，在這種用途中，柵極信號具有交流特征，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產生的熱量不可忽視，甚至成為主要問題。為了追求高速，需要強大的柵極驅動，也是這個道理。試想，弱驅動信號瞬間變為高電平，但是為了“灌滿”寄生電容需要時間，就會產生上升沿變緩，對開關頻率形成重大威脅直至不能工作。
解釋 7：與實物的區別
上圖僅僅是原理性的，實際的元件增加了源 - 漏之間跨接的保護二極管，從而區分了源極和漏極。實際的元件，p 型的，襯底是接正電源的，使得柵極預先成為相對負電壓，因此 p 型的管子，柵極不用加負電壓了，接地就能保證導通。相當于預先形成了不能導通的溝道，嚴格講應該是耗盡型了。好處是明顯的，應用時拋開了負電壓。
