可控硅的學名叫晶閘管，用SCR代表它。其中，晶閘管里面又分為單相晶閘管和雙向晶閘管。單相晶閘管結構為門極（G）表示，陰極（K）表示，陽極（A）表示。而雙向晶閘管除控制極用G表示，另外的兩個極分別為T1、T2表示。

Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了Mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻），內阻越小承受電流越大（因為發熱?。?。

DC/DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC/DC轉換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。

靜電放電ESD是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過度電應力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高,可達到幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會造成電路直接燒毀。所以預防靜電損傷是所有IC設計和制造的頭號難題。

其中也有電機、燈泡等可以用交流電壓驅動的產品，但電機與微控制器的控制電路連在一起，燈泡也變成節能LED，因此有必要進行ACDC轉換。