半導體行業報告：MOSFET行業研究
來源：立深鑫電子????????發布時間：01-15????????點擊：
摘要 : MOSFET的差異化主要來源于三個方面，一是基于系統 know-how理解的設計能力。二是前段制程的差異，即晶圓制造環節的工藝水平差異。三是后段制程的差異，即芯片封裝工藝水平的差異。 數字邏輯芯片產品的價值鏈構成更長，設計軟件、IP、EDA、know-how、前段晶圓制造能力
1、MOSFET概況
據數據顯示，全球功率器件總市場約為463億美元，其中分立MOSFET占比約為18%，市場空間約為83.34億美元，MOSFET模組約占1%。全球功率MOSFET歐系廠商占主導。
功率MOSFET器件工作速度快，故障率低 ，開關損耗小 ，擴展性好。適合低壓、大電流的環境，要求的工作頻率高于其他功率器件 。應用范圍覆蓋電源、發頻器、CPU及顯卡、通訊、汽車電子等多個領域。
2、MOSFET：IDM模式占據主流
MOSFET的差異化主要來源于三個方面，一是基于系統 know-how理解的設計能力。二是前段制程的差異，即晶圓制造環節的工藝水平差異。三是后段制程的差異，即芯片封裝工藝水平的差異。 數字邏輯芯片產品的價值鏈構成更長，設計軟件、IP、EDA、know-how、前段晶圓制造能力、 前段封裝能力共同 創造了芯片的附加值。由亍價值鏈較長，邏輯芯片產業鏈出現了產業分工， Fabless+Foundry模式漸漸替代傳統的IDM模式。但是在功率半導體領域，價值鏈較短，前段晶圓制造能力和后端封裝能力是構成產品附加值的核心，國際一線企業大多數采用IDM模式。
MOSFET以及功率半導體采用IDM模式更具競爭力。一是Fabless企業不掌握晶圓生產能 力，在行業供需緊張時，難以拿到穩定的晶圓產能配額。二是 IDM企業設計部門在晶圓生產 階段就能夠開始調試參數、迭代工藝技術。
3、MOS管升級之路：制程縮小+技術變化+工藝進步 +第三代半導體
制程縮?。篗OSFET的生產工藝在1976-2000年左右跟隨摩爾定律不斷縮小制程線寬。生產工藝制程從早期的 10微米制程迭代至 0.15-0.35微米制程。技術變化：MOSFET經歷了3次器件結構上的技術革新：溝槽型、超級結、Insulated Field Plates。每一次 器件結構的變化，在某些單項技術指標上產品性能得到飛躍，大幅拓寬產品的應用領域。工藝進步： 在同一個器件結構下，通過 對生產工藝進行調整，產品 FOM性能變得小幅改善。材料迭代：SiC、GaN半導體功率器件。
4、MOSFET與BJT區別
MOSFET是電壓驅動， 雙極型晶體管（BJT）是電流驅動。
（1）只容許從信號源取少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。
（2）MOS管是單極性 器件（靠一種多數載流子導電），三極管是雙極性器件（既有多數載流子，也要少數載流子導電）。
（3） 有些MOS管的源極和漏極可以互換運用，柵極也可正可負，靈活性比三極管好。
（4）MOS管應用普遍， 可以在很小電流和很低電壓下工作。
（5）MOS管輸入阻抗大，低噪聲， MOS管較貴，三極管的損耗大。
（6）MOS管常用來作為電源開關，以及大電流開關電路、高頻高速電路中，三極管常用來數字電路開關 控制。
5、MOSFET與IGBT區別
IGBT芯片=MOSFET+BJT。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT（雙極型三極管）和 MOSFET（絕緣柵型場效管）組成的復合功率半導體，兼備了雙極型晶體管的高耐壓和 MOSFET輸入抗阻高的特性，因此IGBT適用于高電壓、大電流場合。
