電子元器件知識之三極管
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摘要 : 三極管也稱雙極型晶體管、晶體三極管，分為PNP和NPN兩種形式，是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。大功率三極管是相對于小功率三極管而言的，其集電極耗散功率高于1W。
大功率三極管
知識介紹：三極管也稱雙極型晶體管、晶體三極管，分為PNP和NPN兩種形式，是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。大功率三極管是相對于小功率三極管而言的，其集電極耗散功率高于1W。
選型建議：使用于高頻發射電路，需要考慮大功率三級管的特征頻率。一般設計穩定工作時Pcm不可超過額定的70%，Icm不可超過額定的70%，Vceo不超過額定的2/3。
小功率三極管
知識介紹：三極管也稱雙極型晶體管、晶體三極管，分為PNP和NPN兩種形式，是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。小功率三極管是相對于大功率三極管而言的，其集電極耗散功率低于1W。
達林頓管
知識介紹：達林頓是指兩個三極管在一起的組合方式，被廣泛應用在大功率開關、脈沖電動機驅動和電感負載開關。
可控硅（單向可控硅）
知識介紹：單向可控硅是一種可控整流電子元件，是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，具有單個方向導通、關斷的特性，常應用于整流、振蕩器及交流負載控制。
選型建議：
1.選用的可控硅的額定通態平均電流值應比流過可控硅的實際電流有效值大1.5～2倍，使之有一定的安全余量
2.可控硅承受電壓的能力較差，選擇時要考慮2～3倍的系數
3.可控硅各項參數都與溫度有很大關系，為降低可控硅的溫升，應選用正向壓降較小的器件
場效應管（絕緣柵場效應管（MOS））
知識介紹：場效應管是通過改變外加電壓產生的電場強度來控制其導電能力的半導體器件。絕緣柵場效應管（N溝道為例）是在一塊P型硅襯底上，擴散兩個高濃度摻雜的N+區，在兩個N+區之間的硅表面上制作一層很薄的SiO2絕緣層，然后在SiO2和兩個N型區表面上分別引出三個電極，稱為源極s、柵極g和漏極d，常稱為MOS管，它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗，有N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，常被用于放大電路或開關電路。
選型建議：
1.根據額定電壓和峰值電流確定漏極至源極間可能承受的最大電壓和漏極電流
2.根據半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫計算是否符合散熱要求
場效應管（結型場效應管（JFET））
知識介紹：場效應管是通過改變外加電壓產生的電場強度來控制其導電能力的半導體器件。結型場效應管，簡稱J-FET，有N溝道和P溝道兩類，JFET（P溝道為例）是在同一塊N形半導體上制作兩個高摻雜的P區，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極g，漏極d，源極s。結型場效應管均為耗盡型，有N溝道和P溝道兩種類型，但其輸入電阻不及mos場效應管?？蓱糜诜糯?，阻抗變換，電子開關及恒流源等。
選型建議：
1.根據額定電壓和峰值電流確定漏極至源極間可能承受的最大電壓和漏極電流
2.根據半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫計算是否符合散熱要求
場效應管（IGBT）
知識介紹：IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流負載控制。
數字晶體管
知識介紹：數字晶體管（Digital Transistor），是帶電阻的晶體管，是將一只或兩只電阻器與晶體管連接后封裝在一起構成的，常用作開關管來使用。
復合管
知識介紹：復合管是將兩個和更多個晶體管或場效應管連在一起而構成具有一定功能的晶體管。
可控硅（雙向可控硅）
知識介紹：雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成，其三端分別為T1 (第二端子或第二陽極)，T2(第一端子或第一陽極)和G(控制極)，具有兩個方向輪流導通、關斷的特性，主要用于交流負載控制。
選型建議：
1.選用的可控硅的額定通態平均電流值應比流過可控硅的實際電流有效值大1.5～2倍，使之有一定的安全余量
2.可控硅承受電壓的能力較差，選擇時要考慮2～3倍的系數
3.可控硅各項參數都與溫度有很大關系，為降低可控硅的溫升，應選用正向壓降較小的器件
