詳解MOS管導通電壓、導通條件和過程
來源：立深鑫電子????????發布時間：08-07????????點擊：
摘要 : 場效應管導通與截止由柵源電壓來操控，關于增強場效應管方面來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。
場效應管導通與截止由柵源電壓來操控，關于增強場效應管方面來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。
n溝道mos管導通電壓導通過程
導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。
1）t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態。
2）[t1-t2]區間, GS間電壓到達Vgs（th），DS間導電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID, Cgs2 迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數增長到Va。
3）[t2-t3]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。
4）[t3-t4]區間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。
1、P溝道MOS管導通電壓規格
俗稱耐壓，至少應該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。詳細而言，圖中為10.5V，因而Q1、Q2的電壓規格至少為31.5V，思索到10%的動搖和1.5倍的保險系數，則電壓規格不應該低于31.5 X 1.1X 1.5＝52V。圖中的2SK2313的電壓規格為60v，契合請求。
其次，依據普通經歷，電壓規格超越200V的VMOS，飽和導通電阻的優勢就不明顯了，而本錢卻比二極管高得多，電路也復雜。因而，用作同步整流時，主繞組的最高電壓不應該高于40V。
2、電流規格(In)
這個問題主要與最大耗散功率有關，由于計算辦法復雜并且需求實驗停止驗證，因而也能夠直接用理論辦法進行肯定，即在實踐的工作環境中，依照最極端的最高環境溫度，比方夏天比擬熱的溫度，如35℃，依據實踐所需求的工作電流，接上適宜的假負載，連續工作2小時左右，假如MOS管散熱片(TAB)不燙手，就根本上能夠運用。這個辦法固然粗略，但是很簡單適用。
3、mos飽和導通電阻(RDS（ON）)
越小越好，典型值最好小于10mQ，這個數值以從技術手冊上查到。
